Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6774
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-679
- Producentens varenummer:
- IRFSL7437PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 89,68
(ekskl. moms)
Kr. 112,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.090 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 17,936 | Kr. 89,68 |
| 25 - 45 | Kr. 16,142 | Kr. 80,71 |
| 50 - 120 | Kr. 15,064 | Kr. 75,32 |
| 125 - 245 | Kr. 13,988 | Kr. 69,94 |
| 250 + | Kr. 13,09 | Kr. 65,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6774
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-679
- Producentens varenummer:
- IRFSL7437PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 195A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.075Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 195A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.075Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET giver fordele som f.eks. forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed og fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA.
Halogenfri
Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt kapacitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 72 A 200 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej IRF4905LPBF
- Infineon Type N-Kanal 72 A 200 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej IRFSL4127PBF
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej IRF540NLPBF
- Infineon Type P-Kanal 38 A 100 V Forbedring I2PAK (TO-262), HEXFET Nej
