Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- RS-varenummer:
- 165-8115
- Producentens varenummer:
- IRF540NLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 257,00
(ekskl. moms)
Kr. 321,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- Plus 450 enhed(er) afsendes fra 15. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,14 | Kr. 257,00 |
| 100 - 200 | Kr. 4,786 | Kr. 239,30 |
| 250 - 450 | Kr. 4,66 | Kr. 233,00 |
| 500 - 950 | Kr. 4,54 | Kr. 227,00 |
| 1000 + | Kr. 4,427 | Kr. 221,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8115
- Producentens varenummer:
- IRF540NLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 44mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 71nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 44mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 72 A 200 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-262, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Enkelt 162 A 40 V Forbedring I2PAK (TO-262), HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 72 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V HEXFET