Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF540NSTRLPBF

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 70,31

(ekskl. moms)

Kr. 87,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 160 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 32.960 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 7,031Kr. 70,31

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
831-2831
Producentens varenummer:
IRF540NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

44mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

130W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

71nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.67mm

Højde

4.83mm

Bredde

9.65 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-44-447

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 130W maksimal effektafledning - IRF540NSTRLPBF


Denne højeffekt-MOSFET er designet til effektivitet og pålidelighed i en lang række applikationer. Den har en N-kanalskonfiguration og fungerer i enhancement mode med en maksimal kontinuerlig drainstrøm på 33A og en nedbrydningsspænding på 100V. Dens overflademonterede design giver mulighed for enkel integration i printkort, hvilket øger alsidigheden i moderne applikationer.

Egenskaber og fordele


• Lav Rds(on) på 44mΩ forbedrer kredsløbets effektivitet

• Høj effektafledningskapacitet på 130 W understøtter robuste anvendelser

• Hurtig skiftehastighed minimerer energitab under drift

• Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C passer til forskellige miljøer

• Blyfri konstruktion overholder moderne miljøstandarder

Anvendelsesområder


• Strømstyring i automatiseringssystemer

• Højeffektive strømforsyninger til elektronik

• Motorstyring i elektroteknik

• Vedvarende energisystemer til effektiv energiomdannelse

Hvad er den maksimale gate-to-source-spænding for denne enhed?


Den maksimale gate-to-source-spænding er ±20V, hvilket giver mulighed for sikker drift i typiske kredsløb.

Hvordan håndterer denne enhed varmestyring?


Med en maksimal effektafledning på 130 W og en termisk modstand mellem forbindelsen og kabinettet på 1,15 °C/W håndterer den effektivt varmen under drift.

Hvad er den typiske gate-ladning ved 10V?


Den typiske gate-ladning ved en gate-to-source-spænding på 10V er 71 nC, hvilket sikrer hurtige responstider i switching-applikationer.

Kan denne enhed monteres på standardprintkort?


Ja, den er designet i en D2PAK-pakke, hvilket gør den velegnet til overflademontering på standard PCB-layouts.

Hvad er betydningen af enhancement mode i denne MOSFET?


Forbedringstilstanden giver mulighed for større kontrol over ledningstilstanden, hvilket giver forbedret ydeevne i switching-applikationer.

Relaterede links