Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-varenummer:: 165-5894
Producentens varenummer:: IRF540NSTRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 4.662,40

(ekskl. moms)

Kr. 5.828,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

31.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
800 +	Kr. 5,828	Kr. 4.662,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5894
Producentens varenummer:: IRF540NSTRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	33A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	44mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	71nC
	Effektafsættelse maks. Pd	130W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	9.65mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	10.67mm
	Højde	4.83mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TO-263
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 44mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71nC
	Effektafsættelse maks. Pd 130W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 9.65mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 10.67mm
	Højde 4.83mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 130W maksimal effektafledning - IRF540NSTRLPBF

Denne højeffekt-MOSFET er designet til effektivitet og pålidelighed i en lang række applikationer. Den har en N-kanalskonfiguration og fungerer i enhancement mode med en maksimal kontinuerlig drainstrøm på 33A og en nedbrydningsspænding på 100V. Dens overflademonterede design giver mulighed for enkel integration i printkort, hvilket øger alsidigheden i moderne applikationer.

Egenskaber og fordele

• Lav Rds(on) på 44mΩ forbedrer kredsløbets effektivitet

• Høj effektafledningskapacitet på 130 W understøtter robuste anvendelser

• Hurtig skiftehastighed minimerer energitab under drift

• Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C passer til forskellige miljøer

• Blyfri konstruktion overholder moderne miljøstandarder

Anvendelsesområder

• Strømstyring i automatiseringssystemer

• Højeffektive strømforsyninger til elektronik

• Motorstyring i elektroteknik

• Vedvarende energisystemer til effektiv energiomdannelse

Hvad er den maksimale gate-to-source-spænding for denne enhed?

Den maksimale gate-to-source-spænding er ±20V, hvilket giver mulighed for sikker drift i typiske kredsløb.

Hvordan håndterer denne enhed varmestyring?

Med en maksimal effektafledning på 130 W og en termisk modstand mellem forbindelsen og kabinettet på 1,15 °C/W håndterer den effektivt varmen under drift.

Hvad er den typiske gate-ladning ved 10V?

Den typiske gate-ladning ved en gate-to-source-spænding på 10V er 71 nC, hvilket sikrer hurtige responstider i switching-applikationer.

Kan denne enhed monteres på standardprintkort?

Ja, den er designet i en D2PAK-pakke, hvilket gør den velegnet til overflademontering på standard PCB-layouts.

Hvad er betydningen af enhancement mode i denne MOSFET?

Forbedringstilstanden giver mulighed for større kontrol over ledningstilstanden, hvilket giver forbedret ydeevne i switching-applikationer.