Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-varenummer:: 165-5894
Producentens varenummer:: IRF540NSTRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 2.951,20

(ekskl. moms)

Kr. 3.688,80

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
800 +	Kr. 3,689	Kr. 2.951,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5894
Producentens varenummer:: IRF540NSTRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	33A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	44mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	130W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	71nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.67mm
	Højde	4.83mm
	Bredde	9.65 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 44mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 130W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.67mm
	Højde 4.83mm
	Bredde 9.65 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 130W maksimal effektafledning - IRF540NSTRLPBF

Denne højeffekt-MOSFET er designet til effektivitet og pålidelighed i en lang række applikationer. Den har en N-kanalskonfiguration og fungerer i enhancement mode med en maksimal kontinuerlig drainstrøm på 33A og en nedbrydningsspænding på 100V. Dens overflademonterede design giver mulighed for enkel integration i printkort, hvilket øger alsidigheden i moderne applikationer.

Egenskaber og fordele

• Lav Rds(on) på 44mΩ forbedrer kredsløbets effektivitet

• Høj effektafledningskapacitet på 130 W understøtter robuste anvendelser

• Hurtig skiftehastighed minimerer energitab under drift

• Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C passer til forskellige miljøer

• Blyfri konstruktion overholder moderne miljøstandarder

Anvendelsesområder

• Strømstyring i automatiseringssystemer

• Højeffektive strømforsyninger til elektronik

• Motorstyring i elektroteknik

• Vedvarende energisystemer til effektiv energiomdannelse

Hvad er den maksimale gate-to-source-spænding for denne enhed?

Den maksimale gate-to-source-spænding er ±20V, hvilket giver mulighed for sikker drift i typiske kredsløb.

Hvordan håndterer denne enhed varmestyring?

Med en maksimal effektafledning på 130 W og en termisk modstand mellem forbindelsen og kabinettet på 1,15 °C/W håndterer den effektivt varmen under drift.

Hvad er den typiske gate-ladning ved 10V?

Den typiske gate-ladning ved en gate-to-source-spænding på 10V er 71 nC, hvilket sikrer hurtige responstider i switching-applikationer.

Kan denne enhed monteres på standardprintkort?

Ja, den er designet i en D2PAK-pakke, hvilket gør den velegnet til overflademontering på standard PCB-layouts.

Hvad er betydningen af enhancement mode i denne MOSFET?

Forbedringstilstanden giver mulighed for større kontrol over ledningstilstanden, hvilket giver forbedret ydeevne i switching-applikationer.