Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 273-3030
- Producentens varenummer:
- IRFS7537TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 64,33
(ekskl. moms)
Kr. 80,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 785 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 12,866 | Kr. 64,33 |
| 25 - 45 | Kr. 10,742 | Kr. 53,71 |
| 50 - 95 | Kr. 9,904 | Kr. 49,52 |
| 100 - 245 | Kr. 9,186 | Kr. 45,93 |
| 250 + | Kr. 9,02 | Kr. 45,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3030
- Producentens varenummer:
- IRFS7537TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 173A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 142nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 173A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 142nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Infineons enkelt N-kanals HEXFET-effekt-MOSFET i et D2-Pak-hus er optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere.
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC standard
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Industristandard strømforsyning til overflademontering
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 173 A 60 V D2PAK, HEXFET IRFS7537TRLPBF
- Infineon HEXFET IRFS7734TRLPBF
- Infineon HEXFET IRF7351TRPBF
- Infineon TO-220AB, HEXFET IRLB4132PBF
- Infineon PG-TO247, HEXFET IRF150P220AKMA1
- Infineon PG-TO247, HEXFET IRF100P218AKMA1
- Infineon TO-220, HEXFET IRFI4020H-117PXKMA1
- Infineon 17 A 200 V HEXFET IRFR15N20DTRPBF
