Infineon N-Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-varenummer:: 273-3029
Producentens varenummer:: IRFS7537TRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 4.296,80

(ekskl. moms)

Kr. 5.371,20

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 15. marts 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
800 +	Kr. 5,371	Kr. 4.296,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 273-3029
Producentens varenummer:: IRFS7537TRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	173A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3.30mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	230W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	142nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS Compliant

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 173A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TO-263
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3.30mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 230W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 142nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS Compliant

Datasheet - IRFS7537TRLPBF

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 60 V maksimal drain-source spænding, 173 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFS7537TRLPBF

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektomskiftning i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til barske miljøer, og leverer betydelig effekthåndtering til anvendelser, der kræver effektiv ledning og kontrolleret gate-drive-adfærd.

Egenskaber og fordele:

• 230 W effekttab muliggør vedvarende drift ved høj belastning
• 3,30 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab for effektivitet
• 142 nC gate-ladning understøtter forudsigelig koblingsydelse
• 20 V gate-spændingstolerance beskytter mod overspændingstransienter
• 1,2 V fremadgående spænding reducerer spændingsfald i ledningsveje

Anvendelser

• Velegnet til DC-motordrev i industrielle styringssystemer
• Ideel til strømforsyninger og omformere med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med bilelektronik, der kræver et bredt temperaturområde
• Kan bruges til switch-mode effekttrin i invertere
• Nyttig i termisk styrede strømfordelingsmoduler

Hvad er de termiske driftsgrænser for pålidelig brug?

Enheden understøtter drift fra -55 °C op til 175 °C.

Hvordan påvirker hustypen montering og varmestyring?

TO-263-pakken til overflademontering muliggør printkortmontering med lav profil og effektiv varmeoverførsel til kobberplaner.

Hvilke kanalegenskaber bestemmer koblingspolariteten?

Det er en N-kanal-forstærkningstransistor, der kræver et positivt gate-drev til ledning.

Hvilken spidsværdi af kontinuerlig strømkapacitet kan forventes i kraftige kredsløb?

Komponenten er specificeret til kontinuerlige afløbsstrømme op til 173 A.