Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

RS-varenummer:: 541-1269
Elfa Distrelec varenummer:: 303-41-344
Producentens varenummer:: IRFP140NPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 16,76

(ekskl. moms)

Kr. 20,95

(inkl. moms)

Tilføj 35 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig

Enheder	Per stk.
1 - 9	Kr. 16,76
10 - 49	Kr. 14,44
50 - 99	Kr. 13,54
100 - 249	Kr. 12,64
250 +	Kr. 11,59

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 541-1269
Elfa Distrelec varenummer:: 303-41-344
Producentens varenummer:: IRFP140NPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	33A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-247
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	52mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	140W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	94nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	15.9mm
	Højde	20.3mm
	Bredde	5.3 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-247
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 52mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 140W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 15.9mm
	Højde 20.3mm
	Bredde 5.3 mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 140W maksimal effektafledning - IRFP140NPBF

Denne MOSFET spiller en afgørende rolle for at forbedre effektiviteten og ydeevnen i forskellige elektroniske applikationer. Den er designet til at klare høje strømme og spændinger og tilbyder pålidelige strømstyringsløsninger i automatiseringssystemer, elektronik og mekaniske industrier. Dens evne til at fungere under ekstreme forhold sikrer alsidighed i mange anvendelser.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 33A for forbedret belastningsevne

• Drain-source-spænding på op til 100 V for effektiv ydelse

• Lav maksimal drain-source-modstand på 52 mΩ for effektiv drift

• Designet til en effektafledning på 140 W for at håndtere termiske forhold

• Typisk gate-ladning på 94 nC ved 10 V for hurtige skiftehastigheder

Anvendelsesområder

• Pålidelig brug i switching-strømforsyninger

• Motorstyring for præcis drift

• Høj strømstyrke i strømkonverteringssystemer

• Integration i effektforstærkere for forbedret signalforstærkning

Hvad er den maksimale spænding, denne komponent kan klare?

Den tåler en maksimal drain-source-spænding på 100 V, hvilket gør den velegnet til højspændingsapplikationer.

Hvordan påvirker gate-ladningen driften?

En typisk gate-ladning på 94 nC ved 10 V gør det muligt at skifte hurtigere, hvilket forbedrer kredsløbets effektivitet.

Hvad er de termiske egenskaber for denne komponent?

Den fungerer effektivt mellem -55 °C og +175 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.

Kan denne komponent bruges i automatiseringsprojekter?

Ja, dens høje kontinuerlige strømkapacitet og spændingsværdier er ideelle til forskellige automatiseringsopgaver.

Hvordan forbedrer den lave RDS(on) dens ydeevne?

Den lave maksimale drain-source-modstand hjælper med at reducere ledningstab, hvilket fører til en mere energieffektiv drift.