Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 541-1584
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-352
- Producentens varenummer:
- IRFP3710PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 13,91
(ekskl. moms)
Kr. 17,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 90 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
- Plus 27 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
- Plus 578 enhed(er) afsendes fra 02. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 13,91 |
| 5 - 9 | Kr. 12,57 |
| 10 - 14 | Kr. 11,15 |
| 15 - 19 | Kr. 10,47 |
| 20 + | Kr. 9,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1584
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-352
- Producentens varenummer:
- IRFP3710PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 190nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bredde | 5.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 190nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Bredde 5.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 57A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRFP3710PBF
Denne MOSFET er designet til effektiv strømstyring i en lang række elektroniske applikationer. Den har en N-kanalskonfiguration og håndterer høj kontinuerlig afløbsstrøm, hvilket sikrer effektiv ydelse selv ved høje temperaturer og udviser lav tændingsmodstand, hvilket gør den velegnet til industrielle miljøer.
Egenskaber og fordele
• Høj kontinuerlig dræningsstrøm understøtter stærk ydeevne
• Maksimal drain-source-spænding på 100V øger alsidigheden
• Lav RDS(on) på 25mΩ minimerer energitab under drift
• Høj effektafledningskapacitet på 200W giver effektiv energistyring
• Enhancement mode-transistor giver mulighed for kontrol over skifteoperationer
• TO-247AC-pakken gør det nemt at integrere i applikationer med gennemgående huller
Anvendelsesområder
• Ideel til strømforsyningskredsløb
• Almindeligt forekommende i motorstyringssystemer
• Velegnet til strømstyringsløsninger til biler
• Anvendes i batteristyringssystemer
Hvad er den maksimale temperatur, som denne enhed kan fungere ved?
Den maksimale driftstemperatur når op på +175 °C, hvilket giver mulighed for effektiv funktion i miljøer med høje temperaturer.
Hvordan håndterer denne enhed høje strømme?
Den understøtter en kontinuerlig afløbsstrøm på 57 A, hvilket gør den i stand til at drive krævende applikationer uden fejl.
Kan den bruges i et design med gennemgående huller?
Ja, TO-247AC-pakken giver mulighed for montering gennem huller, hvilket forenkler integrationen i forskellige printkort.
Hvilken slags belastning kan denne MOSFET skifte?
Denne enhed kan håndtere betydelige belastninger på grund af dens høje effektafledning på 200 W, der er velegnet til tunge anvendelser.
Er den kompatibel med standard gate-spændinger?
Ja, den fungerer effektivt med en gate-tærskelspænding på mellem 2V og 4V, hvilket sikrer kompatibilitet med forskellige drevkredsløb.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 57 A 250 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 57 A 250 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej IRFP4332PBF
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF3710PBF
- Infineon Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 44 A 250 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
