Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 425,75

(ekskl. moms)

Kr. 532,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 8,515Kr. 425,75
100 - 200Kr. 6,813Kr. 340,65
250 - 450Kr. 6,386Kr. 319,30
500 - 950Kr. 5,96Kr. 298,00
1000 +Kr. 5,535Kr. 276,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4775
Producentens varenummer:
IRF3710PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

57A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

23mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

200W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

130nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.54mm

Bredde

4.69 mm

Højde

8.77mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 57A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRF3710PBF


Denne MOSFET er en holdbar effekthalvleder, der er vigtig i forskellige elektroniske applikationer. Den er designet til høj effektivitet og udmærker sig i omgivelser, der kræver lav modstand og overlegen termisk ydeevne, hvilket gør den vigtig for moderne elektronik inden for f.eks. automatisering og mekaniske systemer.

Egenskaber og fordele


• Udnytter HEXFET-teknologi til lav on-modstand

• Håndterer en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 57A

• Fungerer effektivt inden for en drain-source-spænding på 100V

• Muliggør hurtige skift for at forbedre den samlede ydeevne

• Designet til drift ved en maksimal tilslutningstemperatur på +175 °C

• Optimeret til termisk styring med minimal varmeudvikling

Anvendelsesområder


• Anvendes i bilers elsystemer til effektiv energistyring

• Velegnet til strømforsyningskredsløb for at forbedre energieffektiviteten

• Anvendelig i motorstyringssystemer til højstrømsscenarier

• Effektiv i industriel automatisering for ensartet ydelse under belastning

Hvad er betydningen af den lave on-modstand i denne MOSFET?


Lav on-modstand reducerer strømtab og forbedrer effektiviteten, hvilket er afgørende for højtydende applikationer.

Kan den bruges i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den fungerer effektivt op til en maksimal tilslutningstemperatur på +175 °C, hvilket passer til udfordrende anvendelser.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?


Gate-tærskelspændingen på 2V til 4V sikrer effektiv switching, hvilket giver mulighed for præcis kontrol i forskellige kredsløbsdesigns.

Hvilken type montering passer til denne enhed?


Denne MOSFET er beregnet til montering gennem et hul, hvilket letter sikker installation i mange applikationer.

N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links