Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFI4227PBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 51,62

(ekskl. moms)

Kr. 64,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 25,81Kr. 51,62
20 - 48Kr. 23,41Kr. 46,82
50 - 98Kr. 21,915Kr. 43,83
100 - 198Kr. 20,385Kr. 40,77
200 +Kr. 18,81Kr. 37,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6757
Producentens varenummer:
IRFI4227PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.036Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Distrelec Product Id

304-41-674

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET er specielt designet til at opretholde energiudnyttelse og pass-switch-anvendelser i plasmaskærme. Denne MOSFET udnytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tænding pr. siliciumområde og lav EPULSE mærkeværdi.

150 grader celsius driftssammenslutningstemperatur

Høj gentagen spidsstrømkapacitet

Relaterede links