Infineon N-Kanal, MOSFET, 26 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 56,55

(ekskl. moms)

Kr. 70,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 28,275Kr. 56,55
20 - 48Kr. 25,73Kr. 51,46
50 - 98Kr. 24,01Kr. 48,02
100 - 198Kr. 22,405Kr. 44,81
200 +Kr. 20,605Kr. 41,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6757
Elfa Distrelec varenummer:
304-41-674
Producentens varenummer:
IRFI4227PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.036Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET er specielt designet til at opretholde energiudnyttelse og pass-switch-anvendelser i plasmaskærme. Denne MOSFET udnytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tænding pr. siliciumområde og lav EPULSE mærkeværdi.

150 grader celsius driftssammenslutningstemperatur

Høj gentagen spidsstrømkapacitet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.