Infineon N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-7178
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 36,20
(ekskl. moms)
Kr. 45,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 10 enhed(er) afsendes fra 06. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 18,10 | Kr. 36,20 |
| 20 - 48 | Kr. 15,97 | Kr. 31,94 |
| 50 - 98 | Kr. 14,85 | Kr. 29,70 |
| 100 - 198 | Kr. 13,69 | Kr. 27,38 |
| 200 + | Kr. 12,865 | Kr. 25,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-7178
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +16V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 75nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bredde | 4.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -16V, +16V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 75nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Bredde 4.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 200A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 230W maksimal effektafledning - IRL1404ZPBF
Denne MOSFET er konstrueret til høj effektivitet på tværs af forskellige anvendelser, især inden for automatisering, elektronik og elektroteknik. Det sikrer pålidelig drift under ekstreme forhold, hvilket er afgørende for avancerede elektroniske systemer. Dens robuste design gør den til en foretrukken løsning for ingeniører, der ønsker at optimere strømstyringsløsninger.
Egenskaber og fordele
• Kan håndtere kontinuerlige afløbsstrømme på op til 200A
• Lav drain-source on-resistance forbedrer effektiviteten
• Velegnet til høje skiftehastigheder for at reducere energitab
• Fungerer inden for et bredt temperaturområde fra -55°C til +175°C
• Giver en maksimal gate-tærskelspænding på 2,7 V for kompatibilitet
• Designet i en TO-220-pakke med gennemgående hul til enkel montering
Anvendelsesområder
• Bruges i effektforstærkere og omformere
• Anvendes i DC-DC switching-strømforsyninger
• Integreret i motorens kontrolkredsløb
• Ideel til bilindustrien og vedvarende energi
Hvad er den maksimale spænding, denne komponent kan klare?
Den kan klare en maksimal drain-source-spænding på 40V.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?
En gate-tærskelspænding på 2,7 V sikrer effektiv aktivering af enheden, hvilket giver mulighed for præcis styring.
Kan denne komponent bruges i miljøer med høje temperaturer?
Ja, den er klassificeret til drift op til +175 °C, hvilket gør den velegnet til intense anvendelser.
Hvad er betydningen af lav drain-source modstand?
Lav modstand minimerer strømtab og forbedrer dermed den samlede systemeffektivitet, især ved høje strømbelastninger.
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 56 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9.3 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 43 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET