Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRL1404ZPBF
- RS-varenummer:
- 688-7178
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 32,51
(ekskl. moms)
Kr. 40,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 42 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 152 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 16,255 | Kr. 32,51 |
| 20 - 48 | Kr. 14,325 | Kr. 28,65 |
| 50 - 98 | Kr. 13,35 | Kr. 26,70 |
| 100 - 198 | Kr. 12,34 | Kr. 24,68 |
| 200 + | Kr. 11,555 | Kr. 23,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-7178
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 75nC | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.4 mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 75nC | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.4 mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 200A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 230W maksimal effektafledning - IRL1404ZPBF
Denne MOSFET er konstrueret til høj effektivitet på tværs af forskellige anvendelser, især inden for automatisering, elektronik og elektroteknik. Det sikrer pålidelig drift under ekstreme forhold, hvilket er afgørende for avancerede elektroniske systemer. Dens robuste design gør den til en foretrukken løsning for ingeniører, der ønsker at optimere strømstyringsløsninger.
Egenskaber og fordele
• Kan håndtere kontinuerlige afløbsstrømme på op til 200A
• Lav drain-source on-resistance forbedrer effektiviteten
• Velegnet til høje skiftehastigheder for at reducere energitab
• Fungerer inden for et bredt temperaturområde fra -55°C til +175°C
• Giver en maksimal gate-tærskelspænding på 2,7 V for kompatibilitet
• Designet i en TO-220-pakke med gennemgående hul til enkel montering
Anvendelsesområder
• Bruges i effektforstærkere og omformere
• Anvendes i DC-DC switching-strømforsyninger
• Integreret i motorens kontrolkredsløb
• Ideel til bilindustrien og vedvarende energi
Hvad er den maksimale spænding, denne komponent kan klare?
Den kan klare en maksimal drain-source-spænding på 40V.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?
En gate-tærskelspænding på 2,7 V sikrer effektiv aktivering af enheden, hvilket giver mulighed for præcis styring.
Kan denne komponent bruges i miljøer med høje temperaturer?
Ja, den er klassificeret til drift op til +175 °C, hvilket gør den velegnet til intense anvendelser.
Hvad er betydningen af lav drain-source modstand?
Lav modstand minimerer strømtab og forbedrer dermed den samlede systemeffektivitet, især ved høje strømbelastninger.
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 200 A 40 V TO-220, HEXFET IRL1404ZPBF
- Infineon TO-220, HEXFET IRFI4020H-117PXKMA1
- Infineon N-Kanal 12 A 200 V HEXFET IRF200B211
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V HEXFET IRFB7440PBF
- Infineon N-Kanal 95 A 40 V HEXFET IRF40B207
- Infineon N-Kanal 340 A 40 V HEXFET IRFS3004TRLPBF
- Infineon N-Kanal 280 A 40 V TO-220, HEXFET IRF2804PBF
- Infineon N-Kanal 195 A 40 V TO-220, HEXFET AUIRFB8409
