Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.3 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF630NPBF
- RS-varenummer:
- 543-0068
- Producentens varenummer:
- IRF630NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 8,90
(ekskl. moms)
Kr. 11,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 9 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 570 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 8,90 |
| 25 - 49 | Kr. 7,55 |
| 50 - 99 | Kr. 7,11 |
| 100 - 249 | Kr. 6,66 |
| 250 + | Kr. 6,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-0068
- Producentens varenummer:
- IRF630NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 82W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 82W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 9,3A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 82W maksimal effektafledning - IRF630NPBF
Denne N-kanal MOSFET er designet til en række anvendelser inden for automation og elektronik. Den giver optimal strømspredning og effektiv ydeevne, hvilket er afgørende for højtydende systemer. Med en maksimal drain-source-spænding på 200 V og en kontinuerlig drain-strøm på 9,3 A sikrer den pålidelig drift i udfordrende elektroniske miljøer.
Egenskaber og fordele
• Høj effekt understøtter omfattende elektriske anvendelser
• Effektivt design sænker den termiske modstand for effektiv køling
• Hurtige skiftehastigheder forbedrer ydeevnen i dynamiske systemer
• Enkle krav til drev hjælper med at integrere kredsløb
• Fuldt lavineklassificeret, hvilket gør den velegnet til barske forhold
Anvendelsesområder
• Bruges i industrielle strømforsyninger til at opretholde en stabil spændingsregulering
• Anvendes i motorstyringssystemer for effektiv funktionalitet
• Ideel til DC-DC-konvertere og strømstyringskredsløb
• Bruges i HVAC-systemer til at styre kompressormotorer
• Velegnet til vedvarende energisystemer, der forbedrer energieffektiviteten
Hvad er den maksimale gate-source-spænding, der kan anvendes?
Den maksimale gate-source-spænding er ±20V, hvilket sikrer kompatibilitet med forskellige kredsløbsdesigns.
Hvordan håndterer enheden varmeafledning under drift?
Den har en effektafledningskapacitet på 82W, hvilket giver mulighed for effektiv varmestyring under brug.
Er der en bestemt monteringstype, der anbefales for at opnå optimal ydelse?
MOSFET'en er beregnet til montering gennem et hul, hvilket fremmer pålidelig termisk styring og elektrisk forbindelse.
Hvilken type applikationer drager fordel af dens hurtige skiftefunktioner?
Applikationer, der kræver højhastighedsdrift, som f.eks. switching-strømforsyninger og kompakte omformere, drager fordel af dens hurtige skiftehastigheder.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 250 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 250 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101 AUIRFR4292TRL
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 80 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 80 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej IRF7493TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
