Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.3 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF630NPBF

RS-varenummer:: 543-0068
Producentens varenummer:: IRF630NPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.3 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF630NPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 8,90

(ekskl. moms)

Kr. 11,12

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 1 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Plus 9 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Plus 570 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
1 - 24	Kr. 8,90
25 - 49	Kr. 7,55
50 - 99	Kr. 7,11
100 - 249	Kr. 6,66
250 +	Kr. 6,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 543-0068
Producentens varenummer:: IRF630NPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9.3A
	Drain source spænding maks. Vds	200V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	300mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	35nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	82W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	8.77mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.69 mm
	Længde	10.54mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.3A
	Drain source spænding maks. Vds 200V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 300mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 82W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 8.77mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.69 mm
	Længde 10.54mm
	Bilindustristandarder Nej

Log ind for at downloade CAD-modeller

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 9,3A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 82W maksimal effektafledning - IRF630NPBF

Denne N-kanal MOSFET er designet til en række anvendelser inden for automation og elektronik. Den giver optimal strømspredning og effektiv ydeevne, hvilket er afgørende for højtydende systemer. Med en maksimal drain-source-spænding på 200 V og en kontinuerlig drain-strøm på 9,3 A sikrer den pålidelig drift i udfordrende elektroniske miljøer.

Egenskaber og fordele

• Høj effekt understøtter omfattende elektriske anvendelser

• Effektivt design sænker den termiske modstand for effektiv køling

• Hurtige skiftehastigheder forbedrer ydeevnen i dynamiske systemer

• Enkle krav til drev hjælper med at integrere kredsløb

• Fuldt lavineklassificeret, hvilket gør den velegnet til barske forhold

Anvendelsesområder

• Bruges i industrielle strømforsyninger til at opretholde en stabil spændingsregulering

• Anvendes i motorstyringssystemer for effektiv funktionalitet

• Ideel til DC-DC-konvertere og strømstyringskredsløb

• Bruges i HVAC-systemer til at styre kompressormotorer

• Velegnet til vedvarende energisystemer, der forbedrer energieffektiviteten

Hvad er den maksimale gate-source-spænding, der kan anvendes?

Den maksimale gate-source-spænding er ±20V, hvilket sikrer kompatibilitet med forskellige kredsløbsdesigns.

Hvordan håndterer enheden varmeafledning under drift?

Den har en effektafledningskapacitet på 82W, hvilket giver mulighed for effektiv varmestyring under brug.

Er der en bestemt monteringstype, der anbefales for at opnå optimal ydelse?

MOSFET'en er beregnet til montering gennem et hul, hvilket fremmer pålidelig termisk styring og elektrisk forbindelse.

Hvilken type applikationer drager fordel af dens hurtige skiftefunktioner?

Applikationer, der kræver højhastighedsdrift, som f.eks. switching-strømforsyninger og kompakte omformere, drager fordel af dens hurtige skiftehastigheder.