Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6973
- Producentens varenummer:
- IRFB5620PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 23,34
(ekskl. moms)
Kr. 29,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 31. marts 2026
- Plus 22 enhed(er) afsendes fra 01. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,67 | Kr. 23,34 |
| 20 - 48 | Kr. 10,06 | Kr. 20,12 |
| 50 - 98 | Kr. 9,35 | Kr. 18,70 |
| 100 - 198 | Kr. 8,75 | Kr. 17,50 |
| 200 + | Kr. 8,04 | Kr. 16,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6973
- Producentens varenummer:
- IRFB5620PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 73mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 73mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Digital audio MOSFET, Infineon
Class D forstærkere er hurtigt ved at blive den foretrukne løsning til professionelle og lyd- og videosystemer i hjemmet. Infineon tilbyder et omfattende sortiment, der forenkler højeffektivt Class D forstærkerdesign.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 140 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET