Infineon N-Kanal, MOSFET, 25 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6973
- Producentens varenummer:
- IRFB5620PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 36,65
(ekskl. moms)
Kr. 45,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 34 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.310 enhed(er) afsendes fra 06. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 18,325 | Kr. 36,65 |
| 20 - 48 | Kr. 15,785 | Kr. 31,57 |
| 50 - 98 | Kr. 14,66 | Kr. 29,32 |
| 100 - 198 | Kr. 13,725 | Kr. 27,45 |
| 200 + | Kr. 12,605 | Kr. 25,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6973
- Producentens varenummer:
- IRFB5620PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 73mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.02mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 73mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.02mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 200 V maksimal drain source-spænding, 25 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB5620PBF
Denne MOSFET er en højspændings, N-kanals halvlederkontakt, der er designet til strømforsyningsanvendelser med gennemgående hul. Den fungerer som en forstærkningsenhed, der er velegnet til koblings- og forstærkningsopgaver i krævende miljøer, og den er indkapslet i et TO-220-hus til nem montering og varmeafledning.
Egenskaber og fordele:
• 200 V afløbsspænding understøtter højspændingsswitching
• 25 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør robust belastningshåndtering
• 73 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømkredsløb
• 25 nC gate-ladning muliggør kontrollerede skiftehastigheder
• 14 W effekttab muliggør moderat termisk belastning
• Gate-tolerance op til 20 V beskytter mod overdriftshændelser
• 25 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør robust belastningshåndtering
• 73 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømkredsløb
• 25 nC gate-ladning muliggør kontrollerede skiftehastigheder
• 14 W effekttab muliggør moderat termisk belastning
• Gate-tolerance op til 20 V beskytter mod overdriftshændelser
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsmotordriverstrin
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Anvendes til omskiftning med inverterben i strømkonvertering
• Kan bruges til lydforstærkerudgangstrin
• Velegnet til generel strømkobling på kort med gennemgående huller
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Anvendes til omskiftning med inverterben i strømkonvertering
• Kan bruges til lydforstærkerudgangstrin
• Velegnet til generel strømkobling på kort med gennemgående huller
Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere under drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket muliggør brug på tværs af udvidede termiske områder.
Hvordan påvirker pakken monteringen og varmestyringen?
TO-220-pakken med gennemgående huller forenkler fastgørelsen til kølelegemer og printkort for effektiv varmeafledning.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes, når den kører?
Den maksimale mærkespænding fra gate til kilde er 20 V, så gate-drivere bør forblive inden for denne tærskel.
Hvordan påvirker dens kanaltype kredsløbsdesign?
Som en N-kanal-forbedringsenhed kræver den en positiv gate-source-spænding til at føre, hvilket passer til lav- og høj-side-switchtopologier, når den drives korrekt.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 56 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9.3 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 43 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET