Infineon N-Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF

RS-varenummer:: 827-3944
Producentens varenummer:: IRFB38N20DPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF

Der er mulighed for mængderabat

Pris (Leveres i pakke af 5)*

Kr. 19,00

(ekskl. moms)

Kr. 23,75

(inkl. moms)

GRATIS levering for ordrer over 500,00 kr.

På lager

15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 305 enhed(er) afsendes fra 25. juni 2025

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Pr stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 19,00	Kr. 95,00
50 - 120	Kr. 18,048	Kr. 90,24
125 - 245	Kr. 17,288	Kr. 86,44
250 - 495	Kr. 16,158	Kr. 80,79
500 +	Kr. 15,204	Kr. 76,02

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 827-3944
Producentens varenummer:: IRFB38N20DPBF
Brand:: Infineon

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 43A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 300W maksimal effektafledning - IRFB38N20DPBF

Denne MOSFET er designet til høj effektivitet og effektiv varmestyring i forskellige applikationer. Det robuste N-kanal-design i enhancement mode giver mulighed for betydelige kontinuerlige drain-strømme og sikrer samtidig lav on-resistance. Denne komponent er velegnet til strømstyringsløsninger, der forbedrer ydeevnen og pålideligheden i mange elektroniske miljøer.

Egenskaber og fordele

• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 43A
• Giver en lav Rds(on) på 54mΩ for at minimere energitab
• Kan modstå drain-source-spændinger på op til 200 V
• Høj driftstemperaturtolerance fra -55 °C til +175 °C
• Designet til højhastigheds-switching-applikationer med lav gate-ladning
• Integreres effektivt i DC-DC-konvertere og strømforsyninger

Anvendelsesområder

• Anvendes i højfrekvente DC-DC-konvertere til effektiv strømstyring
• Velegnet til i plasmaskærmpaneler
• Anvendes i industrielle automatiseringssystemer, der kræver konsekvent omskiftning
• Bruges i strømforsyninger, hvor termisk effektivitet er afgørende
• Ideel til elektroniske designs med behov for høj ydeevne ved høje temperaturer

Hvilken slags strøm kan den klare i applikationer med høje temperaturer?

Den kan håndtere op til 30 A kontinuerlig strøm ved 100 °C, hvilket sikrer en ensartet ydelse under høje temperaturer.

Hvordan fungerer denne komponent i højfrekvente applikationer?

Den er eksplicit designet til højhastighedsskift med lav gate-ladning og minimale forsinkelsestider, hvilket gør den velegnet til sådanne anvendelser.

Hvilke emballagemuligheder findes der for dette produkt?

Den fås i en TO-220AB-pakke, som gør det muligt at montere den gennem et hul, så den nemt kan integreres i elektroniske kredsløb.

Kan den bruges sammen med andre strømstyringsenheder?

Ja, den bruges ofte sammen med forskellige DC-DC-konvertere til at forbedre effektiviteten i strømforsyningssystemer.

Hvilke foranstaltninger skal der træffes i forbindelse med installationen?

Sørg for korrekt varmestyring, herunder køleplader, for at opretholde optimale overgangstemperaturer under drift.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	43 A
Drain source spænding maks.	200 V
Kapslingstype	TO-220AB
Serie	HEXFET
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	54 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	5V
Mindste tærskelspænding for port	3V
Effektafsættelse maks.	300 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-30 V, +30 V
Antal elementer per chip	1
Transistormateriale	Si
Længde	10.67mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	60 nC ved 10 V
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Bredde	4.83mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	16.51mm
Gennemgangsspænding for diode	1.5V