Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 43 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFB38N20DPBF
- RS-varenummer:
- 827-3944
- Producentens varenummer:
- IRFB38N20DPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 97,85
(ekskl. moms)
Kr. 122,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,57 | Kr. 97,85 |
| 50 - 120 | Kr. 18,58 | Kr. 92,90 |
| 125 - 245 | Kr. 17,802 | Kr. 89,01 |
| 250 - 495 | Kr. 16,636 | Kr. 83,18 |
| 500 + | Kr. 15,648 | Kr. 78,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-3944
- Producentens varenummer:
- IRFB38N20DPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 54mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 16.51mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 54mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 16.51mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 43A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 300W maksimal effektafledning - IRFB38N20DPBF
Denne MOSFET er designet til høj effektivitet og effektiv varmestyring i forskellige applikationer. Det robuste N-kanal-design i enhancement mode giver mulighed for betydelige kontinuerlige drain-strømme og sikrer samtidig lav on-resistance. Denne komponent er velegnet til strømstyringsløsninger, der forbedrer ydeevnen og pålideligheden i mange elektroniske miljøer.
Egenskaber og fordele
• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 43A
• Giver en lav Rds(on) på 54mΩ for at minimere energitab
• Kan modstå drain-source-spændinger på op til 200 V
• Høj driftstemperaturtolerance fra -55 °C til +175 °C
• Designet til højhastigheds-switching-applikationer med lav gate-ladning
• Integreres effektivt i DC-DC-konvertere og strømforsyninger
Anvendelsesområder
• Anvendes i højfrekvente DC-DC-konvertere til effektiv strømstyring
• Velegnet til i plasmaskærmpaneler
• Anvendes i industrielle automatiseringssystemer, der kræver konsekvent omskiftning
• Bruges i strømforsyninger, hvor termisk effektivitet er afgørende
• Ideel til elektroniske designs med behov for høj ydeevne ved høje temperaturer
Hvilken slags strøm kan den klare i applikationer med høje temperaturer?
Den kan håndtere op til 30 A kontinuerlig strøm ved 100 °C, hvilket sikrer en ensartet ydelse under høje temperaturer.
Hvordan fungerer denne komponent i højfrekvente applikationer?
Den er eksplicit designet til højhastighedsskift med lav gate-ladning og minimale forsinkelsestider, hvilket gør den velegnet til sådanne anvendelser.
Hvilke emballagemuligheder findes der for dette produkt?
Den fås i en TO-220AB-pakke, som gør det muligt at montere den gennem et hul, så den nemt kan integreres i elektroniske kredsløb.
Kan den bruges sammen med andre strømstyringsenheder?
Ja, den bruges ofte sammen med forskellige DC-DC-konvertere til at forbedre effektiviteten i strømforsyningssystemer.
Hvilke foranstaltninger skal der træffes i forbindelse med installationen?
Sørg for korrekt varmestyring, herunder køleplader, for at opretholde optimale overgangstemperaturer under drift.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 44 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF
- Infineon N-Kanal 25 A 200 V HEXFET IRFB4620PBF
- Infineon N-Kanal 43 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRF3415PBF
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3806PBF
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRF640NPBF
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB4020PBF
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB4227PBF
- Infineon N-Kanal 56 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB260NPBF
