Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF640NPBF
- RS-varenummer:
- 541-0014
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-285
- Producentens varenummer:
- IRF640NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 5,93
(ekskl. moms)
Kr. 7,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 206 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 1.274 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 5,93 |
| 10 - 49 | Kr. 5,39 |
| 50 - 99 | Kr. 5,01 |
| 100 - 249 | Kr. 4,64 |
| 250 + | Kr. 4,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-0014
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-285
- Producentens varenummer:
- IRF640NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Distrelec Product Id | 30341285 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Distrelec Product Id 30341285 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 18A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 150W maksimal effektafledning - IRF640NPBF
Denne MOSFET er beregnet til højeffektive switching-applikationer og giver en pålidelig løsning til forskellige elektroniske systemer. Dens N-kanalskonfiguration sikrer minimal on-modstand og høj pålidelighed, hvilket gør den velegnet til strømstyring i industrielle og kommercielle miljøer. Denne komponent er designet specielt til brugere i automations- og elsektoren og sikrer optimal ydeevne i deres applikationer.
Egenskaber og fordele
• Kontinuerlig afløbsstrøm på op til 18A for robust effekthåndtering
• Fungerer effektivt ved spændingsniveauer op til 200V for øget alsidighed
• Lav tændingsmodstand minimerer energitab under drift
• Forenklede krav til drev letter integrationen i kredsløb
• Fuldt lavineklassificeret for øget sikkerhed og ydeevne
Anvendelsesområder
• Anvendes i strømforsyningskredsløb til industriel automatisering
• Velegnet til motorstyring inden for robotteknologi
• Ideel til vedvarende energisystemer som f.eks. solcelleinvertere
• Anvendes i strømafbrydersystemer til elektrisk udstyr
• Bruges i forstærkningstrin til lydudstyr
Hvordan påvirker temperaturen ydeevnen?
Enheden fungerer effektivt inden for -55 °C til +175 °C, hvilket muliggør brug i forskellige termiske miljøer uden at gå på kompromis med ydeevnen.
Hvad er betydningen af den maksimale gate-source-spænding?
MOSFET'en understøtter gate-source-spændingsniveauer på ±20V, hvilket giver sikker drift og forhindrer skader under omskiftning.
Kan denne komponent håndtere pludselige spændingsspidser?
Ja, den er fuldt lavineklassificeret, så den kan modstå korte spændingsspidser, hvilket forbedrer dens ydeevne i udfordrende applikationer.
Hvilken betydning har on-resistens for den samlede effektivitet?
Lav on-modstand reducerer strømforbruget betydeligt under drift og forbedrer dermed energieffektiviteten i strømstyringsapplikationer.
Er den egnet til overflademontering?
TO-220AB-pakken er specielt designet til gennemgående montering, hvilket sikrer effektiv varmeafledning i stedet for overflademontering.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRF640NPBF
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB4020PBF
- Infineon N-Kanal 25 A 200 V HEXFET IRFB4620PBF
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB4227PBF
- Infineon N-Kanal 44 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF
- Infineon N-Kanal 56 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB260NPBF
- Infineon N-Kanal 43 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF
- Infineon N-Kanal 9 3 ben HEXFET IRF630NPBF
