Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF640NPBF

    RS-varenummer:
    541-0014
    Producentens varenummer:
    IRF640NPBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    186 lager for afsendelse samme dag
    2317 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris (Leveres Pr. stk.)

    kr 10,64

    (ekskl. moms)

    kr 13,30

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.
    1 - 9kr 10,64
    10 - 14kr 9,65
    15 - 19kr 8,50
    20 - 24kr 7,96
    25 +kr 7,58
    RS-varenummer:
    541-0014
    Producentens varenummer:
    IRF640NPBF
    Brand:
    Infineon

    Lovgivning og oprindelsesland


    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET fra 150 V til 600 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.18 A
    Drain source spænding maks.200 V
    KapslingstypeTO-220AB
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.150 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port4V
    Mindste tærskelspænding for port2V
    Effektafsættelse maks.150 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-20 V, +20 V
    Antal elementer per chip1
    Gate-ladning ved Vgs typisk67 nC ved 10 V
    TransistormaterialeSi
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Højde8.77mm
    Driftstemperatur min.-55 °C
    SerieHEXFET
    186 lager for afsendelse samme dag
    2317 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
    Add to Basket
    Enheder

    Tilføjet

    Pris (Leveres Pr. stk.)

    kr 10,64

    (ekskl. moms)

    kr 13,30

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.
    1 - 9kr 10,64
    10 - 14kr 9,65
    15 - 19kr 8,50
    20 - 24kr 7,96
    25 +kr 7,58