Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF640NPBF

    RS-varenummer:
    919-4817
    Producentens varenummer:
    IRF640NPBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 9,393

    (ekskl. moms)

    kr 11,741

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 50kr 9,393kr 469,65
    100 - 200kr 9,112kr 455,60
    250 - 450kr 8,829kr 441,45
    500 +kr 8,453kr 422,65
    RS-varenummer:
    919-4817
    Producentens varenummer:
    IRF640NPBF
    Brand:
    Infineon
    COO (Country of Origin):
    MX

    Lovgivning og oprindelsesland

    COO (Country of Origin):
    MX

    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET fra 150 V til 600 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.18 A
    Drain source spænding maks.200 V
    KapslingstypeTO-220AB
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.150 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port4V
    Mindste tærskelspænding for port2V
    Effektafsættelse maks.150 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-20 V, +20 V
    Antal elementer per chip1
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Gate-ladning ved Vgs typisk67 nC ved 10 V
    TransistormaterialeSi
    SerieHEXFET
    Højde8.77mm
    Driftstemperatur min.-55 °C
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 9,393

    (ekskl. moms)

    kr 11,741

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 50kr 9,393kr 469,65
    100 - 200kr 9,112kr 455,60
    250 - 450kr 8,829kr 441,45
    500 +kr 8,453kr 422,65