Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 241,30

(ekskl. moms)

Kr. 301,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 8.400 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 4,826Kr. 241,30
100 - 200Kr. 3,813Kr. 190,65
250 - 450Kr. 3,571Kr. 178,55
500 - 1200Kr. 3,33Kr. 166,50
1250 +Kr. 3,089Kr. 154,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4817
Producentens varenummer:
IRF640NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

67nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

8.77mm

Bredde

4.69 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 18A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 150W maksimal effektafledning - IRF640NPBF


Denne MOSFET er beregnet til højeffektive switching-applikationer og giver en pålidelig løsning til forskellige elektroniske systemer. Dens N-kanalskonfiguration sikrer minimal on-modstand og høj pålidelighed, hvilket gør den velegnet til strømstyring i industrielle og kommercielle miljøer. Denne komponent er designet specielt til brugere i automations- og elsektoren og sikrer optimal ydeevne i deres applikationer.

Egenskaber og fordele


• Kontinuerlig afløbsstrøm på op til 18A for robust effekthåndtering

• Fungerer effektivt ved spændingsniveauer op til 200V for øget alsidighed

• Lav tændingsmodstand minimerer energitab under drift

• Forenklede krav til drev letter integrationen i kredsløb

• Fuldt lavineklassificeret for øget sikkerhed og ydeevne

Anvendelsesområder


• Anvendes i strømforsyningskredsløb til industriel automatisering

• Velegnet til motorstyring inden for robotteknologi

• Ideel til vedvarende energisystemer som f.eks. solcelleinvertere

• Anvendes i strømafbrydersystemer til elektrisk udstyr

• Bruges i forstærkningstrin til lydudstyr

Hvordan påvirker temperaturen ydeevnen?


Enheden fungerer effektivt inden for -55 °C til +175 °C, hvilket muliggør brug i forskellige termiske miljøer uden at gå på kompromis med ydeevnen.

Hvad er betydningen af den maksimale gate-source-spænding?


MOSFET'en understøtter gate-source-spændingsniveauer på ±20V, hvilket giver sikker drift og forhindrer skader under omskiftning.

Kan denne komponent håndtere pludselige spændingsspidser?


Ja, den er fuldt lavineklassificeret, så den kan modstå korte spændingsspidser, hvilket forbedrer dens ydeevne i udfordrende applikationer.

Hvilken betydning har on-resistens for den samlede effektivitet?


Lav on-modstand reducerer strømforbruget betydeligt under drift og forbedrer dermed energieffektiviteten i strømstyringsapplikationer.

Er den egnet til overflademontering?


TO-220AB-pakken er specielt designet til gennemgående montering, hvilket sikrer effektiv varmeafledning i stedet for overflademontering.

Relaterede links