Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 124-9009
- Producentens varenummer:
- IRFB5620PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 301,60
(ekskl. moms)
Kr. 377,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,032 | Kr. 301,60 |
| 100 - 200 | Kr. 5,867 | Kr. 293,35 |
| 250 - 450 | Kr. 5,712 | Kr. 285,60 |
| 500 - 950 | Kr. 5,565 | Kr. 278,25 |
| 1000 + | Kr. 5,427 | Kr. 271,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-9009
- Producentens varenummer:
- IRFB5620PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 73mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 73mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.02mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Digital audio MOSFET, Infineon
Class D forstærkere er hurtigt ved at blive den foretrukne løsning til professionelle og lyd- og videosystemer i hjemmet. Infineon tilbyder et omfattende sortiment, der forenkler højeffektivt Class D forstærkerdesign.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 140 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET