Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 690,80

(ekskl. moms)

Kr. 863,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 150 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 13,816Kr. 690,80
100 - 200Kr. 10,915Kr. 545,75
250 - 450Kr. 10,224Kr. 511,20
500 - 950Kr. 9,533Kr. 476,65
1000 +Kr. 8,841Kr. 442,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-9602
Producentens varenummer:
IRL1404ZPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

230W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

75nC

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

8.77mm

Bredde

4.4 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.66mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 200A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 230W maksimal effektafledning - IRL1404ZPBF


Denne MOSFET er konstrueret til høj effektivitet på tværs af forskellige anvendelser, især inden for automatisering, elektronik og elektroteknik. Det sikrer pålidelig drift under ekstreme forhold, hvilket er afgørende for avancerede elektroniske systemer. Dens robuste design gør den til en foretrukken løsning for ingeniører, der ønsker at optimere strømstyringsløsninger.

Egenskaber og fordele


• Kan håndtere kontinuerlige afløbsstrømme på op til 200A

• Lav drain-source on-resistance forbedrer effektiviteten

• Velegnet til høje skiftehastigheder for at reducere energitab

• Fungerer inden for et bredt temperaturområde fra -55°C til +175°C

• Giver en maksimal gate-tærskelspænding på 2,7 V for kompatibilitet

• Designet i en TO-220-pakke med gennemgående hul til enkel montering

Anvendelsesområder


• Bruges i effektforstærkere og omformere

• Anvendes i DC-DC switching-strømforsyninger

• Integreret i motorens kontrolkredsløb

• Ideel til bilindustrien og vedvarende energi

Hvad er den maksimale spænding, denne komponent kan klare?


Den kan klare en maksimal drain-source-spænding på 40V.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?


En gate-tærskelspænding på 2,7 V sikrer effektiv aktivering af enheden, hvilket giver mulighed for præcis styring.

Kan denne komponent bruges i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den er klassificeret til drift op til +175 °C, hvilket gør den velegnet til intense anvendelser.

Hvad er betydningen af lav drain-source modstand?


Lav modstand minimerer strømtab og forbedrer dermed den samlede systemeffektivitet, især ved høje strømbelastninger.

Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon


Motorstyring MOSFET


Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.

Synkron ensretter MOSFET


Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links