Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6756
- Producentens varenummer:
- IRFI4227PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 2000 enheder)*
Kr. 27.646,00
(ekskl. moms)
Kr. 34.558,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 13,823 | Kr. 27.646,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6756
- Producentens varenummer:
- IRFI4227PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.036Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.036Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET er specielt designet til at opretholde energiudnyttelse og pass-switch-anvendelser i plasmaskærme. Denne MOSFET udnytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tænding pr. siliciumområde og lav EPULSE mærkeværdi.
150 grader celsius driftssammenslutningstemperatur
Høj gentagen spidsstrømkapacitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET