Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 2000 enheder)*

Kr. 17.378,00

(ekskl. moms)

Kr. 21.722,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
2000 +Kr. 8,689Kr. 17.378,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-6756
Producentens varenummer:
IRFI4227PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.036Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET er specielt designet til at opretholde energiudnyttelse og pass-switch-anvendelser i plasmaskærme. Denne MOSFET udnytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tænding pr. siliciumområde og lav EPULSE mærkeværdi.

150 grader celsius driftssammenslutningstemperatur

Høj gentagen spidsstrømkapacitet

Relaterede links