Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

RS-varenummer:: 919-4918
Producentens varenummer:: IRFP3710PBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 260,30

(ekskl. moms)

Kr. 325,375

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 500 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Plus 400 enhed(er) afsendes fra 06. august 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
25 +	Kr. 10,412	Kr. 260,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4918
Producentens varenummer:: IRFP3710PBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	57A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-247
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	25mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	200W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	190nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	15.9mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	5.3 mm
	Højde	20.3mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-247
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 25mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 200W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 190nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 15.9mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 5.3 mm
	Højde 20.3mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 57A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRFP3710PBF

Denne MOSFET er designet til effektiv strømstyring i en lang række elektroniske applikationer. Den har en N-kanalskonfiguration og håndterer høj kontinuerlig afløbsstrøm, hvilket sikrer effektiv ydelse selv ved høje temperaturer og udviser lav tændingsmodstand, hvilket gør den velegnet til industrielle miljøer.

Egenskaber og fordele

• Høj kontinuerlig dræningsstrøm understøtter stærk ydeevne

• Maksimal drain-source-spænding på 100V øger alsidigheden

• Lav RDS(on) på 25mΩ minimerer energitab under drift

• Høj effektafledningskapacitet på 200W giver effektiv energistyring

• Enhancement mode-transistor giver mulighed for kontrol over skifteoperationer

• TO-247AC-pakken gør det nemt at integrere i applikationer med gennemgående huller

Anvendelsesområder

• Ideel til strømforsyningskredsløb

• Almindeligt forekommende i motorstyringssystemer

• Velegnet til strømstyringsløsninger til biler

• Anvendes i batteristyringssystemer

Hvad er den maksimale temperatur, som denne enhed kan fungere ved?

Den maksimale driftstemperatur når op på +175 °C, hvilket giver mulighed for effektiv funktion i miljøer med høje temperaturer.

Hvordan håndterer denne enhed høje strømme?

Den understøtter en kontinuerlig afløbsstrøm på 57 A, hvilket gør den i stand til at drive krævende applikationer uden fejl.

Kan den bruges i et design med gennemgående huller?

Ja, TO-247AC-pakken giver mulighed for montering gennem huller, hvilket forenkler integrationen i forskellige printkort.

Hvilken slags belastning kan denne MOSFET skifte?

Denne enhed kan håndtere betydelige belastninger på grund af dens høje effektafledning på 200 W, der er velegnet til tunge anvendelser.

Er den kompatibel med standard gate-spændinger?

Ja, den fungerer effektivt med en gate-tærskelspænding på mellem 2V og 4V, hvilket sikrer kompatibilitet med forskellige drevkredsløb.