Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 919-4902
- Producentens varenummer:
- IRFP140NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 170,55
(ekskl. moms)
Kr. 213,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 275 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 6,822 | Kr. 170,55 |
| 50 - 100 | Kr. 5,595 | Kr. 139,88 |
| 125 - 225 | Kr. 5,254 | Kr. 131,35 |
| 250 - 600 | Kr. 4,913 | Kr. 122,83 |
| 625 + | Kr. 4,721 | Kr. 118,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4902
- Producentens varenummer:
- IRFP140NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 94nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.9mm | |
| Højde | 20.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.9mm | ||
Højde 20.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 140W maksimal effektafledning - IRFP140NPBF
Denne MOSFET spiller en afgørende rolle for at forbedre effektiviteten og ydeevnen i forskellige elektroniske applikationer. Den er designet til at klare høje strømme og spændinger og tilbyder pålidelige strømstyringsløsninger i automatiseringssystemer, elektronik og mekaniske industrier. Dens evne til at fungere under ekstreme forhold sikrer alsidighed i mange anvendelser.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 33A for forbedret belastningsevne
• Drain-source-spænding på op til 100 V for effektiv ydelse
• Lav maksimal drain-source-modstand på 52 mΩ for effektiv drift
• Designet til en effektafledning på 140 W for at håndtere termiske forhold
• Typisk gate-ladning på 94 nC ved 10 V for hurtige skiftehastigheder
Anvendelsesområder
• Pålidelig brug i switching-strømforsyninger
• Motorstyring for præcis drift
• Høj strømstyrke i strømkonverteringssystemer
• Integration i effektforstærkere for forbedret signalforstærkning
Hvad er den maksimale spænding, denne komponent kan klare?
Den tåler en maksimal drain-source-spænding på 100 V, hvilket gør den velegnet til højspændingsapplikationer.
Hvordan påvirker gate-ladningen driften?
En typisk gate-ladning på 94 nC ved 10 V gør det muligt at skifte hurtigere, hvilket forbedrer kredsløbets effektivitet.
Hvad er de termiske egenskaber for denne komponent?
Den fungerer effektivt mellem -55 °C og +175 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.
Kan denne komponent bruges i automatiseringsprojekter?
Ja, dens høje kontinuerlige strømkapacitet og spændingsværdier er ideelle til forskellige automatiseringsopgaver.
Hvordan forbedrer den lave RDS(on) dens ydeevne?
Den lave maksimale drain-source-modstand hjælper med at reducere ledningstab, hvilket fører til en mere energieffektiv drift.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 43 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 81 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 250 V Forbedring TO-247, HEXFET