Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 919-4902
Producentens varenummer:: IRFP140NPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 313,50

(ekskl. moms)

Kr. 392,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 750 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
25 - 25	Kr. 12,54	Kr. 313,50
50 - 100	Kr. 10,284	Kr. 257,10
125 - 225	Kr. 9,655	Kr. 241,38
250 - 600	Kr. 9,03	Kr. 225,75
625 +	Kr. 8,276	Kr. 206,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4902
Producentens varenummer:: IRFP140NPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	33A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TO-247
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	52mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	94nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	140W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	15.9mm
	Bredde	5.3 mm
	Højde	20.3mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TO-247
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 52mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 140W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 15.9mm
	Bredde 5.3 mm
	Højde 20.3mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 140W maksimal effektafledning - IRFP140NPBF

Denne MOSFET spiller en afgørende rolle for at forbedre effektiviteten og ydeevnen i forskellige elektroniske applikationer. Den er designet til at klare høje strømme og spændinger og tilbyder pålidelige strømstyringsløsninger i automatiseringssystemer, elektronik og mekaniske industrier. Dens evne til at fungere under ekstreme forhold sikrer alsidighed i mange anvendelser.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 33A for forbedret belastningsevne

• Drain-source-spænding på op til 100 V for effektiv ydelse

• Lav maksimal drain-source-modstand på 52 mΩ for effektiv drift

• Designet til en effektafledning på 140 W for at håndtere termiske forhold

• Typisk gate-ladning på 94 nC ved 10 V for hurtige skiftehastigheder

Anvendelsesområder

• Pålidelig brug i switching-strømforsyninger

• Motorstyring for præcis drift

• Høj strømstyrke i strømkonverteringssystemer

• Integration i effektforstærkere for forbedret signalforstærkning

Hvad er den maksimale spænding, denne komponent kan klare?

Den tåler en maksimal drain-source-spænding på 100 V, hvilket gør den velegnet til højspændingsapplikationer.

Hvordan påvirker gate-ladningen driften?

En typisk gate-ladning på 94 nC ved 10 V gør det muligt at skifte hurtigere, hvilket forbedrer kredsløbets effektivitet.

Hvad er de termiske egenskaber for denne komponent?

Den fungerer effektivt mellem -55 °C og +175 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.

Kan denne komponent bruges i automatiseringsprojekter?

Ja, dens høje kontinuerlige strømkapacitet og spændingsværdier er ideelle til forskellige automatiseringsopgaver.

Hvordan forbedrer den lave RDS(on) dens ydeevne?

Den lave maksimale drain-source-modstand hjælper med at reducere ledningstab, hvilket fører til en mere energieffektiv drift.