Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-varenummer:
- 495-760
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-640
- Producentens varenummer:
- IRLU8743PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 49,37
(ekskl. moms)
Kr. 61,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 125 tilbage, klar til afsendelse
- Plus 35 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,874 | Kr. 49,37 |
| 50 - 120 | Kr. 8,902 | Kr. 44,51 |
| 125 - 245 | Kr. 8,288 | Kr. 41,44 |
| 250 - 495 | Kr. 7,704 | Kr. 38,52 |
| 500 + | Kr. 7,106 | Kr. 35,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 495-760
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-29-640
- Producentens varenummer:
- IRLU8743PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 160A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 135W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 135W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 160A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 135W maksimal effektafledning - IRLU8743PBF
Denne MOSFET er en enhancement mode-enhed, der er designet til effektive switching-applikationer. Den bruger avanceret teknologi til at fungere godt i højfrekvente operationer, hvilket gør den velegnet til strømstyring i forskellige industrielle scenarier. Med imponerende specifikationer håndterer den effektivt betydelige strømbelastninger, samtidig med at den opretholder lav modstand, hvilket sikrer ydeevne under forskellige forhold.
Egenskaber og fordele
• Lav tændingsmodstand reducerer strømtab under drift
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 160A understøtter store belastninger
• Spændingsområde op til 30 V muliggør forskellige anvendelser
• Designet med en IPAK TO-251-pakke til nem installation
• Fuldt karakteriserede lavinefunktioner øger driftssikkerheden
Anvendelsesområder
• Højfrekvente synkrone buck-omformere
• Isolerede DC-DC-omformere i industrielle miljøer
• Strømstyringssystemer til computerprocessorer
• Strømforsyning med høj strøm
Hvordan klarer den sig i miljøer med høje temperaturer?
Enheden fungerer inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer ensartet ydeevne under ekstreme forhold.
Hvilken betydning har lav RDS(on) for mit design?
En lav RDS(on)-værdi minimerer ledningstab, hvilket fremmer effektiv energiudnyttelse og effektiv varmestyring, som er afgørende for applikationer med høj strømstyrke.
Kan det bruges i pulsapplikationer?
Ja, dens design understøtter håndtering af pulserende strøm, hvilket gør den velegnet til forskellige applikationer, der kræver transient respons.
Hvilke faktorer skal jeg overveje under installationen?
Det er vigtigt at sikre korrekt termisk styring og verificere kompatibilitet med kredsløbets spændings- og strømspecifikationer for at optimere ydeevnen.
Er der behov for yderligere komponenter til portstyring?
Det kan være en fordel at indbygge gate-drive-kredsløb for at forbedre koblingsydelsen, især i højfrekvensapplikationer.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 160 A 30 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
