DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMN2058U AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-6890
- Producentens varenummer:
- DMN2058UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.368,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.710,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,456 | Kr. 1.368,00 |
| 9000 - 12000 | Kr. 0,438 | Kr. 1.314,00 |
| 15000 + | Kr. 0,427 | Kr. 1.281,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6890
- Producentens varenummer:
- DMN2058UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | DMN2058U | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 91mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.13W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie DMN2058U | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 91mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.13W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Motorstyring
Power Management-Funktioner
Baggrundsbelysning
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.6 A 20 V Forbedring SOT-23, DMN2058U AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.6 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.6 A 30 V Forbedring SOT-23
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 75 mA 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 90 mA 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.2 A 20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
