DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 12.8 A 12 V Forbedring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-6903
- Producentens varenummer:
- DMP1005UFDF-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.723,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.653,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,241 | Kr. 3.723,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6903
- Producentens varenummer:
- DMP1005UFDF-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Serie | DMP | |
| Emballagetype | UDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.05 mm | |
| Højde | 0.58mm | |
| Længde | 2.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Serie DMP | ||
Emballagetype UDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.05 mm | ||
Højde 0.58mm | ||
Længde 2.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
0,6 mm profil – Ideel til lavprofils anvendelser
Print footprint på 4 mm2
Lav gate-tærskelspænding
Lav aktiv modstand
ESD-beskyttet op til 8 kV
Anvendelsesområder
Program Til Batteristyring
Power Management-Funktioner
Belastningsomskifter
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 12.8 A 12 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101 DMP1005UFDF-7
- DiodesZetex Type P-Kanal 6.5 A 40 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 6.8 A 30 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 6 A 40 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 6.5 A 40 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101 DMP4047LFDEQ-7
- DiodesZetex Type P-Kanal 6.8 A 30 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101 DMP3028LFDEQ-7
- DiodesZetex Type P-Kanal 6 A 40 V Forbedring UDFN, DMP AEC-Q101 DMP4047LFDE-7
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
