DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 3.8 A 20 V Forbedring, 6 Ben, UDFN AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 182-6913
- Producentens varenummer:
- DMP2075UFDB-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.385,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.982,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,795 | Kr. 2.385,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6913
- Producentens varenummer:
- DMP2075UFDB-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | UDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 137mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.8nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Længde | 2.07mm | |
| Højde | 0.55mm | |
| Bredde | 2.07 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype UDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 137mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.8nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.7V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Længde 2.07mm | ||
Højde 0.55mm | ||
Bredde 2.07 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Lavprofil, 0,6 Mm Maks. Højde
ESD-beskyttet låge
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Belastningsomskifter
Power Management-Funktioner
Bærbare Strømadaptere
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.8 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal Dobbelt 3.1 A 20 V Forbedring UDFN-2020 AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 3.2 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal 9.4 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 11.1 A 60 V Forbedring UDFN AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 11.5 A 50 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 15 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
