DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 0.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7039
- Producentens varenummer:
- DMN31D5L-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 73,30
(ekskl. moms)
Kr. 91,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | Kr. 0,733 | Kr. 73,30 |
| 200 - 400 | Kr. 0,643 | Kr. 64,30 |
| 500 - 900 | Kr. 0,515 | Kr. 51,50 |
| 1000 - 1900 | Kr. 0,468 | Kr. 46,80 |
| 2000 + | Kr. 0,43 | Kr. 43,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7039
- Producentens varenummer:
- DMN31D5L-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 520mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 520mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Motorstyring
Power Management-Funktioner
Baggrundsbelysning
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 0.5 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.5 A 60 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.6 A 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101