DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 921-1048
- Producentens varenummer:
- DMN10H220L-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 30 enheder)*
Kr. 72,12
(ekskl. moms)
Kr. 90,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.820 enhed(er) afsendes fra 04. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 2,404 | Kr. 72,12 |
| 150 - 420 | Kr. 2,114 | Kr. 63,42 |
| 450 - 870 | Kr. 2,05 | Kr. 61,50 |
| 900 - 2970 | Kr. 2,005 | Kr. 60,15 |
| 3000 + | Kr. 1,952 | Kr. 58,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 921-1048
- Producentens varenummer:
- DMN10H220L-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.3W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.3W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 950 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.6 A 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 9.4 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 30 V Forbedring SOIC AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 30 V Forbedring SOIC AEC-Q100, AEC-Q101 DMN4800LSSL-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 9.4 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101 DMN2022UFDF-7
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 217 mA 60 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
