DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 21,10

(ekskl. moms)

Kr. 26,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 0,422Kr. 21,10
100 - 200Kr. 0,41Kr. 20,50
250 - 450Kr. 0,399Kr. 19,95
500 - 950Kr. 0,389Kr. 19,45
1000 +Kr. 0,378Kr. 18,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-2842
Producentens varenummer:
DMN3401LDWQ-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

800mA

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

US

Serie

DMN

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.4Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.35W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP.

Dobbelt N-kanals MOSFET

Lav aktiv modstand

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

ESD-beskyttet låge

Relaterede links