DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2842
- Producentens varenummer:
- DMN3401LDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 21,10
(ekskl. moms)
Kr. 26,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 0,422 | Kr. 21,10 |
| 100 - 200 | Kr. 0,41 | Kr. 20,50 |
| 250 - 450 | Kr. 0,399 | Kr. 19,95 |
| 500 - 950 | Kr. 0,389 | Kr. 19,45 |
| 1000 + | Kr. 0,378 | Kr. 18,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2842
- Producentens varenummer:
- DMN3401LDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 800mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.35W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 800mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype US | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.35W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP.
Dobbelt N-kanals MOSFET
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
ESD-beskyttet låge
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 217 mA 60 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 250 mA 30 V Forbedring US, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 250 mA 30 V Forbedring US, DMN AEC-Q101 DMN33D8LDWQ-7
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 460 mA 50 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q101
