DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 206-0085
- Producentens varenummer:
- DMN3401LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 89,30
(ekskl. moms)
Kr. 111,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.900 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 1,786 | Kr. 89,30 |
| 100 - 200 | Kr. 1,572 | Kr. 78,60 |
| 250 - 450 | Kr. 1,529 | Kr. 76,45 |
| 500 - 950 | Kr. 1,497 | Kr. 74,85 |
| 1000 + | Kr. 1,454 | Kr. 72,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0085
- Producentens varenummer:
- DMN3401LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 800mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | DMN3401 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.35W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.95mm | |
| Længde | 2.15mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 800mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype US | ||
Serie DMN3401 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.35W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.95mm | ||
Længde 2.15mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 30V dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,29 W termisk effekttab.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 217 mA 60 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben DMC3401 AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC2710 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 250 mA 30 V Forbedring US, DMN AEC-Q101