DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 83,65

(ekskl. moms)

Kr. 104,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 1,673Kr. 83,65
100 - 200Kr. 1,472Kr. 73,60
250 - 450Kr. 1,432Kr. 71,60
500 - 950Kr. 1,403Kr. 70,15
1000 +Kr. 1,36Kr. 68,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
206-0085
Producentens varenummer:
DMN3401LDW-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

800mA

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

US

Serie

DMN3401

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

700mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.35W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.15mm

Højde

0.95mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex 30V dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,29 W termisk effekttab.

Lav modstand ved tændt

Lav indgangskapacitet

Relaterede links