DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 83,65

(ekskl. moms)

Kr. 104,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.900 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 1,673Kr. 83,65
100 - 200Kr. 1,472Kr. 73,60
250 - 450Kr. 1,432Kr. 71,60
500 - 950Kr. 1,403Kr. 70,15
1000 +Kr. 1,36Kr. 68,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
206-0085
Producentens varenummer:
DMN3401LDW-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

800mA

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

US

Serie

DMN3401

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

700mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

0.35W

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Længde

2.15mm

Bredde

1.3 mm

Højde

0.95mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex 30V dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,29 W termisk effekttab.

Lav modstand ved tændt

Lav indgangskapacitet

Relaterede links

Recently viewed