DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 261 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 222-2692
- Producentens varenummer:
- 2N7002DWK-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 45,75
(ekskl. moms)
Kr. 57,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 14.750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 0,915 | Kr. 45,75 |
| 100 - 200 | Kr. 0,447 | Kr. 22,35 |
| 250 - 450 | Kr. 0,438 | Kr. 21,90 |
| 500 - 950 | Kr. 0,41 | Kr. 20,50 |
| 1000 + | Kr. 0,401 | Kr. 20,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2692
- Producentens varenummer:
- 2N7002DWK-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 261mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | 2N7002 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.33W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 261mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype US | ||
Serie 2N7002 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.33W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
DiodesZetex dobbelt N-kanal MOSFET er designet til at minimere den indbyggede modstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav gate-tærskelspænding
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav indgangs-/udgangslækage
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 261 mA 60 V SOT-363, 2N7002 2N7002DWK-7
- DiodesZetex N-Kanal 261 mA 60 V SOT-363, DMN DMN62D4LDW-7
- DiodesZetex N-Kanal 115 mA 60 V SOT-23 2N7002-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 292 mA 60 V SOT-23, 2N7002 2N7002EQ-7-F
- Microchip N-Kanal 115 mA 60 V SOT-23, 2N7002 2N7002-G
- DiodesZetex N-Kanal 318 mA 60 V SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 200 mA 60 V SOT-363 DMN65D8LDW-7
- DiodesZetex N-Kanal 115 mA 60 V SOT-363 2N7002DW-7-F
