DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 261 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 62,45

(ekskl. moms)

Kr. 78,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 1,249Kr. 62,45
100 - 200Kr. 0,606Kr. 30,30
250 - 450Kr. 0,591Kr. 29,55
500 - 950Kr. 0,56Kr. 28,00
1000 +Kr. 0,546Kr. 27,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-2844
Producentens varenummer:
DMN62D4LDW-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

261mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

DMN

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

0.45W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.51nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Dobbelt N-kanals MOSFET

Lav aktiv modstand

Lav gate-tærskelspænding

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links