DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 261 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 222-2844
- Producentens varenummer:
- DMN62D4LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 62,45
(ekskl. moms)
Kr. 78,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.850 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 1,249 | Kr. 62,45 |
| 100 - 200 | Kr. 0,606 | Kr. 30,30 |
| 250 - 450 | Kr. 0,591 | Kr. 29,55 |
| 500 - 950 | Kr. 0,56 | Kr. 28,00 |
| 1000 + | Kr. 0,546 | Kr. 27,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2844
- Producentens varenummer:
- DMN62D4LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 261mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.45W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.51nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 261mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.45W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.51nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Dobbelt N-kanals MOSFET
Lav aktiv modstand
Lav gate-tærskelspænding
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 217 mA 60 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 250 mA 30 V Forbedring US, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 30 V Forbedring SOIC AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 9.4 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101