DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 261 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 78,10

(ekskl. moms)

Kr. 97,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 2.850 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 1,562Kr. 78,10
100 - 200Kr. 0,757Kr. 37,85
250 - 450Kr. 0,739Kr. 36,95
500 - 950Kr. 0,70Kr. 35,00
1000 +Kr. 0,682Kr. 34,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-2844
Producentens varenummer:
DMN62D4LDW-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

261mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

DMN

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

0.45W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.51nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Dobbelt N-kanals MOSFET

Lav aktiv modstand

Lav gate-tærskelspænding

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links