DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 217 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 16,20

(ekskl. moms)

Kr. 20,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 0,324Kr. 16,20
100 - 200Kr. 0,314Kr. 15,70
250 - 450Kr. 0,307Kr. 15,35
500 - 950Kr. 0,299Kr. 14,95
1000 +Kr. 0,293Kr. 14,65

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-2848
Producentens varenummer:
DMN66D0LDWQ-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

217mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

DMN

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

6Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

250mW

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Længde

2.15mm

Bredde

1.3 mm

Højde

0.95mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

DiodesZetex dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP.

Dobbelt N-kanals MOSFET

Lav aktiv modstand

Lav gate-tærskelspænding

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links