DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 217 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 16,20

(ekskl. moms)

Kr. 20,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Restlager hos RS
  • Sidste 2.350 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 0,324Kr. 16,20
100 - 200Kr. 0,314Kr. 15,70
250 - 450Kr. 0,307Kr. 15,35
500 - 950Kr. 0,299Kr. 14,95
1000 +Kr. 0,293Kr. 14,65

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-2848
Producentens varenummer:
DMN66D0LDWQ-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

217mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

US

Serie

DMN

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

6Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

250mW

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Bredde

1.3 mm

Standarder/godkendelser

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Længde

2.15mm

Højde

0.95mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

DiodesZetex dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP.

Dobbelt N-kanals MOSFET

Lav aktiv modstand

Lav gate-tærskelspænding

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links

Recently viewed