DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 261 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 972,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.215,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,324Kr. 972,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-2843
Producentens varenummer:
DMN62D4LDW-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

261mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

DMN

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.51nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.45W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Dobbelt N-kanals MOSFET

Lav aktiv modstand

Lav gate-tærskelspænding

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links