DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, US, DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.527,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.908,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 6000Kr. 0,509Kr. 1.527,00
9000 - 21000Kr. 0,496Kr. 1.488,00
24000 - 42000Kr. 0,483Kr. 1.449,00
45000 +Kr. 0,471Kr. 1.413,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
206-0084
Producentens varenummer:
DMN3401LDW-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

800mA

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

US

Serie

DMN3401

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

700mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.35W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

0.95mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.3 mm

Længde

2.15mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex 30V dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,29 W termisk effekttab.

Lav modstand ved tændt

Lav indgangskapacitet

Relaterede links