DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7095
- Producentens varenummer:
- DMN6069SE-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 115,70
(ekskl. moms)
Kr. 144,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.450 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 2,314 | Kr. 115,70 |
| 250 - 450 | Kr. 2,023 | Kr. 101,15 |
| 500 - 950 | Kr. 1,619 | Kr. 80,95 |
| 1000 - 1950 | Kr. 1,351 | Kr. 67,55 |
| 2000 + | Kr. 1,243 | Kr. 62,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7095
- Producentens varenummer:
- DMN6069SE-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 11W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.65mm | |
| Længde | 6.55mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 11W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.65mm | ||
Længde 6.55mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere modstand i strømtilstand (RDS(on)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Anvendelsesområder
Motorstyring
Transformerafbryder
DC/DC-konvertere
Strømstyringsfunktioner
Uafbrudt strømforsyning
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 15.4 A 30 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.6 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN6068SE AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 7.1 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN6040SE AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 18.2 A 60 V Forbedring SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 0.5 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101