DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2835
- Producentens varenummer:
- DMN2710UWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en pakke med 50)*
Kr. 52,50
(ekskl. moms)
Kr. 65,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.150 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 1,05 | Kr. 52,50 |
| 100 - 200 | Kr. 0,515 | Kr. 25,75 |
| 250 - 450 | Kr. 0,50 | Kr. 25,00 |
| 500 - 950 | Kr. 0,474 | Kr. 23,70 |
| 1000 + | Kr. 0,461 | Kr. 23,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2835
- Producentens varenummer:
- DMN2710UWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 900mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 6V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 900mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 6V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 20 V Forbedring SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 2.5 A 60 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 0.5 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101