DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 0.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.098,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.374,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,366Kr. 1.098,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
246-6794
Producentens varenummer:
DMN2310UFD-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

DMN

Emballagetype

X1-DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

890mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.7nC

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.53mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.25 mm

Længde

1.25mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex er en dobbelt N-kanal-forstærkningstilstand MOSFET, der er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN1212-3-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.

Den maksimale drain-til-kilde spænding er 20 V, og den maksimale gate-til-kilde spænding er ± 8 V, den har en ultralille husstørrelse, den har lav indgangs-/udgangslækage

Relaterede links