DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 246-6794
- Producentens varenummer:
- DMN2310UFD-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.482,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.854,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,494 | Kr. 1.482,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-6794
- Producentens varenummer:
- DMN2310UFD-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 900mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X1-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 890mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.25mm | |
| Højde | 530μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.25mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 900mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X1-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 890mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.25mm | ||
Højde 530μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.25mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex er en dobbelt N-kanal-forstærkningstilstand MOSFET, der er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN1212-3-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.
Den maksimale drain-til-kilde spænding er 20 V, og den maksimale gate-til-kilde spænding er ± 8 V, den har en ultralille husstørrelse, den har lav indgangs-/udgangslækage
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 0.9 A 20 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1.4 A 12 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 407 mA 60 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 192 mA 65 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 600 mA 20 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101