DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7128
- Producentens varenummer:
- DMN62D1LFB-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (100 enheder, i en pakke med 100)*
Kr. 104,10
(ekskl. moms)
Kr. 130,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 1,041 | Kr. 104,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7128
- Producentens varenummer:
- DMN62D1LFB-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 407mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.45nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 670μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 480μm | |
| Længde | 1.07mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 407mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.45nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 670μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 480μm | ||
Længde 1.07mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
ESD beskyttet
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelse
Belastningsomskifter
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 407 mA 60 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1.4 A 12 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 0.9 A 20 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 192 mA 65 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 600 mA 20 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101
