DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101 DMN62D1LFB-7B
- RS-varenummer:
- 182-7128
- Producentens varenummer:
- DMN62D1LFB-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 88,90
(ekskl. moms)
Kr. 111,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 7.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 0,889 | Kr. 88,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7128
- Producentens varenummer:
- DMN62D1LFB-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 407mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.45nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.67 mm | |
| Længde | 1.07mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.48mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 407mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.45nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.67 mm | ||
Længde 1.07mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.48mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
ESD beskyttet
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelse
Belastningsomskifter
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 407 mA 60 V X1-DFN1006 DMN62D1LFB-7B
- DiodesZetex N-Kanal 407 mA 60 V X1-DFN1006, Enhancement DMN62D4LFB-7B
- DiodesZetex P-Kanal 990 mA 20 V, X1-DFN1006-3 DMP2900UFB-7B
- DiodesZetex P-Kanal 192 mA 65 V X1-DFN1006, DMP DMP68D0LFB-7B
- DiodesZetex Envejs D4V7S1US2SLP-7B
- DiodesZetex Tovejs X1-DFN1006-2, D12V0X1B2LPQ-7B
- DiodesZetex Tovejs X1-DFN1006-2, D8V0X1B2LPQ-7B
- DiodesZetex Tovejs X1-DFN1006-2, D18V0X1B2LPQ-7B
