DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7128
- Producentens varenummer:
- DMN62D1LFB-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 71,10
(ekskl. moms)
Kr. 88,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 7.800 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 0,711 | Kr. 71,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7128
- Producentens varenummer:
- DMN62D1LFB-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 407mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X1-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.45nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.48mm | |
| Længde | 1.07mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 407mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X1-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.45nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.48mm | ||
Længde 1.07mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
ESD beskyttet
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelse
Belastningsomskifter
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 407 mA 60 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.4 A 12 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 0.9 A 20 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 192 mA 65 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 600 mA 20 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101
