DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMP AEC-Q101 DMP21D6UFD-7
- RS-varenummer:
- 182-7329
- Producentens varenummer:
- DMP21D6UFD-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 37,50
(ekskl. moms)
Kr. 46,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 0,375 | Kr. 37,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7329
- Producentens varenummer:
- DMP21D6UFD-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | X1-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 800mW | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.25mm | |
| Højde | 0.48mm | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype X1-DFN | ||
Serie DMP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 800mW | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.25mm | ||
Højde 0.48mm | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Meget Lav Gate-Tærskelværdi, -1,0 V Maks.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
ESD-beskyttet låge
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Power Management-Funktioner
DC/DC-konvertere
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 600 mA 20 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 192 mA 65 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 192 mA 65 V Forbedring X1-DFN, DMP AEC-Q101 DMP68D0LFB-7B
- DiodesZetex Type P-Kanal -5.5 A 20 V Forbedring DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring X1-DFN1006-3, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal -5.5 A 20 V Forbedring DFN, DMP AEC-Q101 DMP2035UFDF-7
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.7 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 200 mA 30 V Forbedring X2-DFN, DMP AEC-Q101