DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 0.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.110,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.380,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,37Kr. 1.110,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
182-6892
Producentens varenummer:
DMN2450UFD-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

X1-DFN

Serie

DMN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

890mW

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

1.25mm

Højde

0.48mm

Bredde

1.25 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Denne MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Lav aktiv modstand

Meget Lav Gate-Tærskelværdi, 1,0 V Maks.

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

ESD-beskyttet låge

Helt Blyfri

Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed

Anvendelsesområder

Power Management-Funktioner

Batteridrevne Systemer Og Solid State Relæer

Belastningsomskifter

Relaterede links