DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-6891
- Producentens varenummer:
- DMN2450UFB4-7R
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 966,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.206,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,322 | Kr. 966,00 |
| 9000 - 12000 | Kr. 0,309 | Kr. 927,00 |
| 15000 + | Kr. 0,301 | Kr. 903,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6891
- Producentens varenummer:
- DMN2450UFB4-7R
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X2-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 350μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.05mm | |
| Bredde | 650μm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X2-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 350μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.05mm | ||
Bredde 650μm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Bundareal på kun 0,6 mm2
– 13 Gange Mindre end SOT23
0,4 mm profil – Ideel til lavprofils anvendelser
Lav gate-tærskelspænding
Hurtig koblingshastighed
ESD-beskyttet låge
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Belastningsomskifter
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 1.4 A 12 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 0.9 A 20 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 407 mA 60 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 540 mA 20 V Forbedring X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMP AEC-Q101