DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 540 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-1921
- Producentens varenummer:
- DMN2991UFB4-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 10000 enheder)*
Kr. 2.960,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.700,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 10000 + | Kr. 0,296 | Kr. 2.960,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-1921
- Producentens varenummer:
- DMN2991UFB4-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 540mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN2991UFO | |
| Emballagetype | X2-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 990mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.35nC | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.44W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.05mm | |
| Højde | 0.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 540mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN2991UFO | ||
Emballagetype X2-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 990mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.35nC | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.44W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.05mm | ||
Højde 0.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET er designet til at minimere ON-state-modstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver.
0,4mm profil ideel til lavprofils anvendelser
Lav gate-tærskelspænding
Helt blyfri og fuldt RoHS-kompatibel
Grøn enhed uden halogen og antimon
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 540 mA 20 V Forbedring X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101 DMN2991UFB4-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 540 mA 20 V Forbedring X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101 DMN2991UFO-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 540 mA 20 V Forbedring X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 410 mA 30 V Forbedring X2-DFN, DMN31D5UFO AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 200 mA 30 V Forbedring X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
