DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 540 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101 DMN2991UFB4-7B
- RS-varenummer:
- 244-1922
- Producentens varenummer:
- DMN2991UFB4-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 6,15
(ekskl. moms)
Kr. 7,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 7.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | Kr. 0,246 | Kr. 6,15 |
| 500 - 975 | Kr. 0,239 | Kr. 5,98 |
| 1000 - 2475 | Kr. 0,233 | Kr. 5,83 |
| 2500 - 4975 | Kr. 0,227 | Kr. 5,68 |
| 5000 + | Kr. 0,222 | Kr. 5,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-1922
- Producentens varenummer:
- DMN2991UFB4-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 540mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN2991UFO | |
| Emballagetype | X2-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 990mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.35nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.44W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.65 mm | |
| Længde | 1.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 540mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN2991UFO | ||
Emballagetype X2-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 990mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.35nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.44W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.65 mm | ||
Længde 1.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET er designet til at minimere ON-state-modstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver.
0,4mm profil ideel til lavprofils anvendelser
Lav gate-tærskelspænding
Helt blyfri og fuldt RoHS-kompatibel
Grøn enhed uden halogen og antimon
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 500 mA 20 V X2-DFN1006 DMN2991UFB4-7B
- DiodesZetex N-Kanal 180 mA 20 V, X2-DFN1006-3 DMN26D0UFB4-7B
- DiodesZetex N-Kanal 500 mA 12 V X2-DFN0806 DMN1260UFA-7B
- DiodesZetex N-Kanal 1 3 ben, X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B
- DiodesZetex Tovejs D2V5L1BS2LP4-7B
- DiodesZetex Tovejs D2V5H1BS2LP4-7B
- DiodesZetex N-Kanal 400 mA 30 V, X2-DFN0806-6 DMN31D5UDAQ-7B
- DiodesZetex N-Kanal 407 mA 60 V X1-DFN1006 DMN62D1LFB-7B
