DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN2451UFB4-7B
- RS-varenummer:
- 246-7512
- Producentens varenummer:
- DMN2451UFB4-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 16,225
(ekskl. moms)
Kr. 20,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 9.375 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | Kr. 0,649 | Kr. 16,23 |
| 500 - 975 | Kr. 0,227 | Kr. 5,68 |
| 1000 - 2475 | Kr. 0,156 | Kr. 3,90 |
| 2500 - 4975 | Kr. 0,123 | Kr. 3,08 |
| 5000 + | Kr. 0,12 | Kr. 3,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7512
- Producentens varenummer:
- DMN2451UFB4-7B
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X2-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.4mm | |
| Bredde | 0.65 mm | |
| Længde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X2-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.4mm | ||
Bredde 0.65 mm | ||
Længde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN1006-3-emballage og 0,6mm-profil gør den ideel til applikationer med lav profil. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.
Maksimal afløbsspænding til kildespænding er 20 V maksimal gate-til-kilde spænding er ± 12 V den har PCB-sokkel på 4mm^2 den har lav gate-tærskelspænding og giver en ESD-beskyttet gate
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN2300UFB4-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN1260UFA-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 407 mA 60 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101 DMN62D1LFB-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.4 A 12 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101 DMN1150UFB-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 407 mA 60 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101 DMN62D4LFB-7B
