DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN2451UFB4-7B

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 16,225

(ekskl. moms)

Kr. 20,275

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.375 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 475Kr. 0,649Kr. 16,23
500 - 975Kr. 0,227Kr. 5,68
1000 - 2475Kr. 0,156Kr. 3,90
2500 - 4975Kr. 0,123Kr. 3,08
5000 +Kr. 0,12Kr. 3,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
246-7512
Producentens varenummer:
DMN2451UFB4-7B
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

DMN

Emballagetype

X2-DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

700mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

900mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.3nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.4mm

Bredde

0.65 mm

Længde

1.05mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN1006-3-emballage og 0,6mm-profil gør den ideel til applikationer med lav profil. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.

Maksimal afløbsspænding til kildespænding er 20 V maksimal gate-til-kilde spænding er ± 12 V den har PCB-sokkel på 4mm^2 den har lav gate-tærskelspænding og giver en ESD-beskyttet gate

Relaterede links