DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN2450UFB4-7R
- RS-varenummer:
- 182-7146
- Producentens varenummer:
- DMN2450UFB4-7R
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 250 enheder)*
Kr. 152,00
(ekskl. moms)
Kr. 190,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | Kr. 0,608 | Kr. 152,00 |
| 500 - 750 | Kr. 0,521 | Kr. 130,25 |
| 1000 - 1250 | Kr. 0,456 | Kr. 114,00 |
| 1500 - 1750 | Kr. 0,405 | Kr. 101,25 |
| 2000 + | Kr. 0,364 | Kr. 91,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7146
- Producentens varenummer:
- DMN2450UFB4-7R
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X2-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.35mm | |
| Bredde | 0.65 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X2-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.35mm | ||
Bredde 0.65 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Bundareal på kun 0,6 mm2
– 13 Gange Mindre end SOT23
0,4 mm profil – Ideel til lavprofils anvendelser
Lav gate-tærskelspænding
Hurtig koblingshastighed
ESD-beskyttet låge
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Belastningsomskifter
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN2451UFB4-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN2300UFB4-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 500 mA 12 V Forbedring X2-DFN, DMN AEC-Q101 DMN1260UFA-7B
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.4 A 12 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 0.9 A 20 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101