DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 0.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101 DMN2310UFD-7
- RS-varenummer:
- 246-7511
- Producentens varenummer:
- DMN2310UFD-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 9,125
(ekskl. moms)
Kr. 11,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.875 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 0,365 | Kr. 9,13 |
| 50 - 75 | Kr. 0,362 | Kr. 9,05 |
| 100 - 225 | Kr. 0,296 | Kr. 7,40 |
| 250 - 975 | Kr. 0,287 | Kr. 7,18 |
| 1000 + | Kr. 0,281 | Kr. 7,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7511
- Producentens varenummer:
- DMN2310UFD-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X1-DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 890mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.53mm | |
| Længde | 1.25mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X1-DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 890mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.53mm | ||
Længde 1.25mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex er en dobbelt N-kanal-forstærkningstilstand MOSFET, der er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN1212-3-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.
Den maksimale drain-til-kilde spænding er 20 V, og den maksimale gate-til-kilde spænding er ± 8 V, den har en ultralille husstørrelse, den har lav indgangs-/udgangslækage
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 1 3 ben, U-DFN1212-3 DMN2310UFD-7
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 20 V X1-DFN1212 DMN2450UFD-7
- DiodesZetex P-Kanal 600 mA 20 V X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7
- DiodesZetex N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 ZXM61N02FTA
- DiodesZetex N-Kanal 7 A 30 V U-DFN2020, DMN3042LFDF DMN3042LFDF-7
- DiodesZetex N-Kanal 15 A 30 V, U-DFN2020-6 DMN3020UFDFQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 10 A 30 V U-DFN2020 DMN3016LFDFQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 11 6 ben, U-DFN2020 DMT6016LFDF-7
