DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7454
- Producentens varenummer:
- DMTH43M8LPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 64,41
(ekskl. moms)
Kr. 80,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,441 | Kr. 64,41 |
| 100 - 240 | Kr. 5,154 | Kr. 51,54 |
| 250 - 490 | Kr. 4,69 | Kr. 46,90 |
| 500 - 990 | Kr. 4,548 | Kr. 45,48 |
| 1000 + | Kr. 4,428 | Kr. 44,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7454
- Producentens varenummer:
- DMTH43M8LPS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 82A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6mm | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 82A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerDI5060 | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6mm | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af N-Channel Enhancement Mode MOSFET er designet til at minimere RDS (TIL), men samtidig opretholde overlegen skifteevne.
Normeret til + 175 °C – Ideel til miljøer med høje omgivelsestemperaturer
100 % Uspændt Induktivt Skift – Sikrer Mere Pålidelig Og Robust Slutanvendelse
Lav RDS(ON) – Minimerer Tab I Tilstanden
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Anvendelsesområder
BLDC-motorer
DC/DC-konvertere
Belastningsomskifter
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 82 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 46.3 A 100 V Forbedring TO-252, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 61 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMP4013 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 76 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMP4011 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 69.2 A 60 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 150 A 30 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101
