ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, RUF025N02 Nej RUF025N02TL
- RS-varenummer:
- 183-5622
- Producentens varenummer:
- RUF025N02TL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 30 enheder)*
Kr. 73,38
(ekskl. moms)
Kr. 91,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 2,446 | Kr. 73,38 |
| 150 - 570 | Kr. 1,513 | Kr. 45,39 |
| 600 - 1470 | Kr. 1,471 | Kr. 44,13 |
| 1500 + | Kr. 1,436 | Kr. 43,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 183-5622
- Producentens varenummer:
- RUF025N02TL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | RUF025N02 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 800mW | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.8 mm | |
| Længde | 2.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie RUF025N02 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 800mW | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.8 mm | ||
Længde 2.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
Power MOSFET'er er fremstillet som enheder med lav modstand ved tændt af mikro-procesteknologier og er nyttige til et bredt udvalg af anvendelser. Det brede produktsortiment dækker kompakte typer, højeffekts-typer og komplekse typer for at opfylde forskellige behov på markedet.
Lav spænding (1,5 V) drevtype
N-kanals småsignal MOSFET
Lille hus til overflademontering
Blyfri
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 2 3 ben RUF025N02 RUF025N02TL
- ROHM N-Kanal 2 3 ben, TUMT RUF025N02TL
- ROHM N-Kanal 310 mA 60 V SOT-323, BSS BSS138WAHZGT106
- ROHM N-Kanal 100 mA 20 V SOT-323, RU1C001UN RU1C001UNTCL
- ROHM N-Kanal 1 3 ben RSF015N06 RSF015N06TL
- ROHM N-Kanal 200 mA 50 V SOT-323, RUC002N05 RUC002N05T116
- ROHM N-Kanal 200 mA 50 V SOT-323, RU1J002YN RU1J002YNTCL
- ROHM N-Kanal 2 3 ben, SOT-346T RTR025N03HZGTL
