onsemi N-Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 184-1305
- Producentens varenummer:
- NTR4170NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 108,30
(ekskl. moms)
Kr. 135,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.900 enhed(er) afsendes fra 30. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 1,083 | Kr. 108,30 |
| 500 - 900 | Kr. 0,934 | Kr. 93,40 |
| 1000 + | Kr. 0,809 | Kr. 80,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1305
- Producentens varenummer:
- NTR4170NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 480mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.76nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Højde | 1.01mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 480mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.76nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.4mm | ||
Højde 1.01mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dette er en 30 V N-kanal Power MOSFET.
Lav RDS(on) for At Minimere tab af forførelse
Lav portopladning
Lave Tærskelniveauer
Anvendelsesområder:
Strømomformere Til Bærbare Pc'Er
Batteristyring
Belastnings-/Strømkontakt