onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A Nej NDS7002A

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 10,40

(ekskl. moms)

Kr. 13,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 52.160 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 1,04Kr. 10,40
100 - 240Kr. 0,898Kr. 8,98
250 - 490Kr. 0,778Kr. 7,78
500 - 990Kr. 0,681Kr. 6,81
1000 +Kr. 0,621Kr. 6,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-1093
Producentens varenummer:
NDS7002A
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

280mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

NDS7002A

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

300mW

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.88V

Min. driftstemperatur

-65°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.92mm

Bredde

1.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.93mm

Bilindustristandarder

Nej

Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links